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判例情報


平成27年(行ケ)第10015号
窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法事件


弁理士  玉腰 紀子
弁理士  須山 佐一

○判決のポイント

 甲1発明のダイシングによって形成された切り込みによって,サファイア基板及び電極のうちの一部分を切断し,残りの部分を外力を加えて引き裂くことには阻害要因がある,とされた。

 事件番号等:平成27年(行ケ)第10015号(知財高裁 H28.03.10)
 事件の種類(判決):維持審決取消請求(請求棄却)
 原告/被告:エヴァーライト エレクトロニクス カンパニー リミテッド/日亜化学工業株式会社
 キーワード:進歩性,阻害要因,相違点の技術的意義
 関連条文:特許法29条2項

○知財高裁の判断

*甲1発明に基づく容易想到性の判断に誤りはない
 甲1発明のダイシングによって形成された切り込みは,割るための溝として機能するものとはいえないから,いずれも,本件発明1の第一の割り溝や第二の割り溝には相当しない。甲1発明において,細い刃物を用いたダイシングによって,サファイア基板1及び第2の電極8のうちの一部分を切断し,残りの部分を外力を加えることによって分離することには,阻害要因があると認められる。

*甲2発明に基づく容易想到性の判断に誤りはない
 前記認定の本件発明1の技術的特徴によれば,本件発明1において,上記割り溝に係る構成には技術的意義があるものと認められる。したがって,本件発明1と甲2発明との相違点に係る構成が当業者にとって容易想到であったというためには,少なくとも,「第一の割り溝を・・・エッチングにより形成すると共に」,「前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で,第一の割り溝の線幅(W1)よりも細い線幅(W2)を有する第二の割り溝を形成する工程」が公知文献に開示又は示唆されており,周知技術であったといえなければならない。原告の提出する公知文献によっても,ウエハーのp型層3からドライエッチングで線状に形成された溝の幅を対向するウエハー裏面側に設けた溝の幅よりも広くすることについて,指針となる周知技術や技術常識が存在しないことは上記のとおりであるから,甲2発明において,相違点2に係る構成を採用することは,当業者であっても容易に想到し得たということはできい。

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